芯联集成获得发明专利授权：“一种SOI晶圆及制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种SOI晶圆及制造方法”，专利申请号为CN202210526183.5，授权日为2025年9月19日。

专利摘要：本发明涉及一种SOI晶圆及制造方法，该制造方法包括：提供第一硅晶圆和第二硅晶圆；分别在第一硅晶圆的键合面和第二硅晶圆的键合面形成键合面氧化层；分别对第一硅晶圆的键合面及第二硅晶圆的键合面进行等离子体注入；将等离子体注入后的第一硅晶圆的键合面与第二硅晶圆的键合面键合；键合后，对第一硅晶圆的非键合面进行第一次减薄；第一次减薄后，在第二硅晶圆的非键合面形成介质层。本发明在SOI晶圆的第二硅晶圆背面沉积一层介质层，可降低SOI晶圆的应力和弯曲度，并且该介质层是在第一硅晶圆与第二硅晶圆键合后且对第一硅晶圆第一次减薄后形成，有利于减少第一硅晶圆与第二硅晶圆键合面的键合空洞。

今年以来芯联集成新获得专利授权51个，较去年同期减少了15%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了9.64亿元，同比增10.93%。

通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1701次；财产线索方面有商标信息16条，专利信息735条，著作权信息3条；此外企业还拥有行政许可42个。

数据来源：天眼查APP

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