东微半导获得发明专利授权：“半导体超结功率器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示东微半导（688261）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体超结功率器件”，专利申请号为CN202111359635.7，授权日为2025年9月12日。

专利摘要：本发明实施例提供的一种半导体超结功率器件，包括n型漏区、n型漂移区、多个p型柱；所述多个p型柱中的每个p型柱的宽度相等，且相邻的两个所述p型柱之间的间距相等；所述多个p型柱中的每个所述p型柱的顶部分别设有与所述p型柱一一对应的p型体区，所述p型体区的宽度均相等；所述p型体区内设有n型源区，控制所述n型源区与所述n型漂移区之间的电流沟道的开启和关断的栅极结构；位于所述n型漂移区上方且介于相邻的所述p型体区之间的JFET区，所述JFET区设有两种或两种以上的不同宽度。本发明可以使得半导体超结功率器件在开启或关断时的栅漏电容突变速度降低，减小半导体超结功率器件的栅极电压震荡。

今年以来东微半导新获得专利授权7个。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了4223.04万元，同比增8.89%。

通过天眼查大数据分析，苏州东微半导体股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目15次；财产线索方面有商标信息31条，专利信息159条，著作权信息1条；此外企业还拥有行政许可9个。

数据来源：天眼查APP

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