芯联集成获得发明专利授权：“一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制造方法”，专利申请号为CN202011595840.9，授权日为2025年9月12日。

专利摘要：本发明涉及一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制造方法，该方法是在沟槽形成、第一氧化硅层形成以及屏蔽栅形成后，先在沟槽内、沟槽侧壁以及基体表面形成第二氧化硅层，然后通过三次CMP工艺去除基体表面氧化硅层，即：先采用CMP工艺去除基体表面大部分的氧化硅层，再采用对氧化硅层和基体高选择比的研磨液进行CMP工艺去除基体表面剩余的氧化硅层，然后采用对氧化硅层和基体低选择比的研磨液进行CMP工艺去除基体表面损伤层；去除沟槽内屏蔽栅顶部多余的第二氧化硅层后，在沟槽内形成栅极。本发明采用无ONO的结构，简化了工艺环节，显著降低了制造成本，通过合理的平坦化工艺设计消除了对硅表面造成的损伤。

今年以来芯联集成新获得专利授权50个，较去年同期减少了16.67%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了9.64亿元，同比增10.93%。

通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1700次；财产线索方面有商标信息16条，专利信息733条，著作权信息3条；此外企业还拥有行政许可42个。

数据来源：天眼查APP

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