芯导科技获得发明专利授权：“GaNHEMT器件的栅极刻蚀方法、器件制备方法、器件、设备”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯导科技（688230）新获得一项发明专利授权，专利名为“GaNHEMT器件的栅极刻蚀方法、器件制备方法、器件、设备”，专利申请号为CN202210118917.6，授权日为2025年9月2日。

专利摘要：本发明提供了一种GaNHEMT器件的栅极刻蚀方法，包括：刻蚀势垒层上的P型层；以所述第一图形化阻挡层为掩模，对所述第一P型层进行第一次刻蚀，对剩余的所述第一P型层暴露出来的侧面进行第一次化学处理；在剩余的所述P型层的表面形成第二图形化阻挡层；以所述第二图形化阻挡层为掩模，对所述第二P型层进行第二次刻蚀，形成台阶结构；对剩余的所述第二P型层暴露出来的侧面以及暴露出来的所述势垒层的表面进行第二次化学处理；既有效抑制了来自势垒层的电荷移动，又消除刻蚀过程中产生的P型层的侧壁缺陷和势垒层的表面缺陷，有效减少了漏电和向栅极的电荷转移，从而提高了阈值电压的稳定性和可靠性，解决了一定程度的长时间使用后会出现漂移现象。

今年以来芯导科技新获得专利授权10个，较去年同期增加了66.67%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1533.63万元，同比减10.9%。

通过天眼查大数据分析，上海芯导电子科技股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目4次；财产线索方面有商标信息7条，专利信息131条，著作权信息1条；此外企业还拥有行政许可5个。

数据来源：天眼查APP

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