扬杰科技获得实用新型专利授权：“提高P-shield区保护能力的SiC场效应晶体管”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“提高P-shield区保护能力的SiC场效应晶体管”，专利申请号为CN202422653398.0，授权日为2025年9月2日。

专利摘要：提高P?shield区保护能力的SiC场效应晶体管，涉及半导体技术领域。通过形成深埋结的P?shield区，将P?shield区设置在比沟槽区更深的底部，从而在器件使用过程中，利用深埋结的P?shield区与SiC Drift层和Epi层形成的耗尽层扩展至沟槽底部拐角，实现对沟槽底部拐角栅氧化层的保护，提高器件的长期稳定使用可靠性。同时，还通过在P?shield区上方刻蚀沟槽开孔并制备欧姆接触，实现对P?shield区接地处理，更进一步提高P?shield区的保护能力。

今年以来扬杰科技新获得专利授权68个，较去年同期增加了3.03%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了2.2亿元，同比增11.74%。

通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目189次；财产线索方面有商标信息5条，专利信息745条，著作权信息4条；此外企业还拥有行政许可233个。

数据来源：天眼查APP

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