甬矽电子获得发明专利授权：“扇入型封装结构及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示甬矽电子（688362）新获得一项发明专利授权，专利名为“扇入型封装结构及其制备方法”，专利申请号为CN202211254717.X，授权日为2025年8月26日。

专利摘要：本发明提供了一种扇入型封装结构及其制备方法，涉及半导体封装技术领域，扇入型封装结构包括基底芯片、结构载板、堆叠芯片、布线介质层、连接布线层、拓展布线层、介质组合层和锡球，拓展布线层与基底芯片错位设置。相较于现有技术，本发明通过容置凹槽贴装堆叠芯片的方式完成了芯片的堆叠封装，提升了芯片封装的集成度，并且容置凹槽的设置也降低了封装高度，有利于芯片的小型化。此外，通过在结构载板上方布置连接布线层和拓展布线层，拓展布线层可以的增加线路层的集成度，能够大幅提升封装的I/O端锡球的数目，提升布线密集度以及布线面积，提升了产品性能。

今年以来甬矽电子新获得专利授权52个，较去年同期增加了62.5%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1.42亿元，同比增51.28%。

通过天眼查大数据分析，甬矽电子（宁波）股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目35次；财产线索方面有商标信息165条，专利信息419条，著作权信息8条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。