晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及其制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及其制作方法”，专利申请号为CN202510704987.3，授权日为2025年8月19日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供衬底，对该衬底进行掺杂形成沟道掺杂区，并在该沟道掺杂区上形成栅极结构以及围绕该栅极结构的偏移侧墙，去除该沟道掺杂区内未被该栅极结构和该偏移侧墙覆盖的衬底以及位于该偏移侧墙底部的衬底，在去除衬底的区域形成半导体层，因为该半导体层未掺杂或者该半导体层的掺杂浓度小于该沟道掺杂区的掺杂浓度，所以，可以减小半导体器件如MOS晶体管的栅诱导漏极泄漏电流，提高半导体器件如MOS晶体管的可靠性。

今年以来晶合集成新获得专利授权244个，较去年同期增加了15.09%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1219条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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