东芯股份获得发明专利授权：“具有垂直沟道晶体管的存储器及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示东芯股份（688110）新获得一项发明专利授权，专利名为“具有垂直沟道晶体管的存储器及其制造方法”，专利申请号为CN202210113278.4，授权日为2025年8月12日。

专利摘要：本发明提供具有垂直沟道晶体管的存储器及其制造方法。通过将多条位线围绕半导体柱的下部的外壁形成，将多条字线在多条位线的上方隔着中间绝缘层而围绕半导体柱的外壁形成，使得垂直沟槽晶体管的主体能够直接接触半导体衬底，从而避免垂直沟槽晶体管的主体浮动，且可以缩小器件尺寸，提高器件可靠性。此外，仅通过沉积和蚀刻工艺来形成栅堆叠结构，无需光刻工艺，不借助光掩模而形成字线，结构和工艺较为简单，从而沿用现有设备和材料即可将存储器扩展到10nm以下。

今年以来东芯股份新获得专利授权4个，较去年同期增加了300%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了2.13亿元，同比增17.02%。

通过天眼查大数据分析，东芯半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目3次；财产线索方面有商标信息9条，专利信息62条，著作权信息16条；此外企业还拥有行政许可14个。

数据来源：天眼查APP

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