通富微电获得发明专利授权：“多层堆叠高宽带存储器的封装方法及封装结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示通富微电（002156）新获得一项发明专利授权，专利名为“多层堆叠高宽带存储器的封装方法及封装结构”，专利申请号为CN202111496033.6，授权日为2025年7月18日。

专利摘要：本发明提供一种多层堆叠高宽带存储器的封装方法及封装结构，该方法包括：分别提供基板以及多组存储器芯片，每组存储器芯片包括第一存储器芯片和第二存储器芯片；第一存储器芯片和第二存储器芯片设置有多个导电通孔；分别将第一存储器芯片与第二存储器芯片进行混合键合，形成多个存储器微模组；在第一存储器芯片朝向基板的表面依次形成第一导电凸块和第二导电凸块；在第二存储器芯片背离基板的表面形成焊盘；通过热压焊工艺将第二导电凸块和焊盘相嵌套，以将多个存储器微模组依次绝缘堆叠在基板上；通过回流焊工艺将堆叠完成的多个存储器微模组和基板进行回流焊接；形成塑封层。本发明可以实现超多层芯片堆叠，提高生产效率，实现超细间距的互连。

今年以来通富微电新获得专利授权10个，较去年同期减少了16.67%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了15.33亿元，同比增31.96%。

通过天眼查大数据分析，通富微电子股份有限公司共对外投资了21家企业，参与招投标项目66次；财产线索方面有商标信息19条，专利信息981条，著作权信息1条；此外企业还拥有行政许可55个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。