芯联集成获得发明专利授权：“功率半导体器件及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“功率半导体器件及其制备方法”，专利申请号为CN202510544717.0，授权日为2025年7月11日。

专利摘要：本发明公开了一种功率半导体器件，包括：衬底，包括第一衬底、绝缘掩埋层和第二衬底，绝缘掩埋层位于第一衬底和第二衬底之间，第二衬底包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；漂移区，漂移区设置在第二衬底中，并自第一表面向第二衬底内延伸，漂移区具有第一导电类型；槽栅结构和槽漏结构，槽栅结构与槽漏结构在第二方向上间隔设置于漂移区，槽栅结构和槽漏结构均自第一表面延伸至第二衬底内，第一方向和第二方向垂直；至少一个第一沟槽隔离结构，第一沟槽隔离结构设置于漂移区内，且第一沟槽隔离结构自第二表面向第二衬底内延伸，以在提高器件的击穿电压的同时，优化器件比导通电阻。

今年以来芯联集成新获得专利授权32个，较去年同期减少了36%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了18.42亿元，同比增20.45%。

通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1695次；财产线索方面有商标信息16条，专利信息702条，著作权信息3条；此外企业还拥有行政许可40个。

数据来源：天眼查APP

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