通富微电获得发明专利授权：“多层堆叠存储器封装方法及封装结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示通富微电（002156）新获得一项发明专利授权，专利名为“多层堆叠存储器封装方法及封装结构”，专利申请号为CN202111496798.X，授权日为2025年7月8日。

专利摘要：本发明提供一种多层堆叠存储器封装方法及封装结构，该方法包括：将每个第一存储器芯片固定在对应的第一假片的第一槽体内，形成第一存储器微模组，第一假片设置有第一冷却通孔；将第二假片与第三假片阳极键合，在第二假片和第三假片对应第一槽体处形成第二槽体，第三假片对应第一冷却通孔处形成第二冷却通孔，第二冷却通孔与第一冷却通孔连通；第一存储器芯片固定在第二槽体中形成第二存储器微模组；依次将第二存储器微模组和多个第一存储器微模组混合键合堆叠在缓冲芯片上，第二存储器微模组和第一存储器微模组在缓冲芯片上的正投影与缓冲芯片重合。本发明通过在假片上形成冷却通孔，实现强制冷却，芯片间通过混合键合连接，大大提高互连密度。

今年以来通富微电新获得专利授权6个，较去年同期减少了45.45%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了15.33亿元，同比增31.96%。

通过天眼查大数据分析，通富微电子股份有限公司共对外投资了21家企业，参与招投标项目66次；财产线索方面有商标信息19条，专利信息975条，著作权信息1条；此外企业还拥有行政许可55个。

数据来源：天眼查APP

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