中微公司获得发明专利授权：“半导体器件及其形成方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中微公司（688012）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其形成方法”，专利申请号为CN202011294526.7，授权日为2025年7月8日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体器件及其形成方法，该方法包含：提供一衬底，该衬底上设置有介电质层，其包含至少一开口，开口内充满有机涂层，部分所述介电质层上具有图形层；通入沉积气体和稀释气体，在所述的介电质层和所述的有机涂层的表面、以及所述的图形层的侧壁和顶部表面形成保护层，其中，所述图形层侧壁和顶部表面保护层、介电质层表面保护层的厚度均大于所述有机涂层表面保护层的厚度。本发明在小孔刻蚀前，通过通入沉积气体、稀释气体，在介电质层表面、图形层的侧壁和顶部表面沉积一层聚合物保护层，开口顶部的有机涂层上沉积很少几乎没有，由于保护层的阻挡，可以兼顾增加小孔刻蚀能力并降低介电质层、图形层的薄膜损伤。

今年以来中微公司新获得专利授权83个，较去年同期增加了5.06%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了14.18亿元，同比增73.59%。

通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了28家企业，参与招投标项目66次；财产线索方面有商标信息98条，专利信息1505条，著作权信息13条；此外企业还拥有行政许可76个。

数据来源：天眼查APP

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