扬杰科技获得实用新型专利授权：“一种平面栅MOSFET”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种平面栅MOSFET”，专利申请号为CN202421668489.5，授权日为2025年7月4日。

专利摘要：一种平面栅MOSFET，涉及半导体技术领域。在器件的的P体区和P+沟道区之间形成一个薄的N+层，关态状态下G极电极不加电压，该N+层在P体区和P+沟道区的夹持下被完全耗尽，不导电，开态状态下G极电极加正电压，栅氧一侧P+沟道区形成反型层导电沟道，同时由于G极电极加正电压，P体区和P+沟道区夹持的N+层由完全耗尽状态转变为正常导电状态，N+层和反型层导电沟道并联，共同承担器件的通流，降低了平面栅垂直导电MOSFET导通电阻。

今年以来扬杰科技新获得专利授权62个，较去年同期增加了31.91%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了4.23亿元，同比增19%。

通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目184次；财产线索方面有商标信息5条，专利信息740条，著作权信息4条；此外企业还拥有行政许可234个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。