天合光能获得发明专利授权：“硅片除杂方法、硅片及其制备方法和应用”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示天合光能（688599）新获得一项发明专利授权，专利名为“硅片除杂方法、硅片及其制备方法和应用”，专利申请号为CN202311249646.9，授权日为2025年6月27日。

专利摘要：本发明涉及一种硅片除杂方法、硅片及其制备方法和应用。该硅片除杂方法，包括如下步骤：对硅片进行第一制绒处理，制备反射率为11％～35％的硅片中间体；在所述反射率为11％～35％的硅片中间体上制备非晶硅层，且在所述非晶硅层中掺杂磷；在所述非晶硅层上制备氧化层，制备第一中间体；对所述第一中间体进行退火处理，制备第二中间体；对所述第二中间体进行第二制绒处理。该方法具有吸杂效率高、条件温和、操作简单、低成本的优点，将除杂后的硅片用于器件中，能够增加光吸收，提高短路电流、开路电压和填充因子，最终提升器件的光电转换效率。

今年以来天合光能新获得专利授权282个，较去年同期增加了16.53%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了18.46亿元，同比增19.62%。

通过天眼查大数据分析，天合光能股份有限公司共对外投资了21家企业，参与招投标项目7052次；财产线索方面有商标信息1067条，专利信息4089条，著作权信息52条；此外企业还拥有行政许可44个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。