晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制造方法”，专利申请号为CN202510144514.2，授权日为2025年6月27日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：于衬底上形成有第一栅极结构、第二栅极结构和层间介质层，层间介质层覆盖第一栅极结构两侧的衬底和第二栅极结构两侧的衬底，第一栅极结构沿垂直衬底表面方向上的截面的宽度大于第二栅极结构沿垂直衬底表面方向上的截面的宽度，且第一栅极结构的表面高于第二栅极结构的表面；于层间介质层上形成覆盖第一栅极结构和第二栅极结构的表面填充层；减薄所述表面填充层，以使所述第一栅极结构暴露；刻蚀第一栅极结构，以使第一栅极结构的表面与第二栅极结构的表面齐平。本申请减小或消除了第一栅极结构和第二栅极结构间的高度差异，增大了后续工艺制程的工艺窗口。

今年以来晶合集成新获得专利授权189个，较去年同期增加了11.83%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目626次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1157条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可17个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。