晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及其制造方法”，专利申请号为CN202510265449.9，授权日为2025年6月10日。

专利摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，衬底中设置器件沟槽；场氧层，设置在器件沟槽的槽壁上，场氧层具有阶梯结构，且沿着远离衬底的第一表面的方向，阶梯结构的宽度减小，其中第一表面为衬底形成器件沟槽的表面；漂移区，设置在衬底中，漂移区连接场氧层，且漂移区包裹在场氧层外部，其中沿着远离衬底的第一表面的方向，漂移区的宽度减小，且漂移区的离子掺杂浓度降低；以及多晶硅层，填充在器件沟槽中，且多晶硅层连接于场氧层。本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，能够有效提升器件耐压性能，缩小器件尺寸，降低器件导通电阻，双向优化器件耐压能力和导通电阻的关系。

今年以来晶合集成新获得专利授权164个，较去年同期增加了2.5%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

数据来源：天眼查APP

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