扬杰科技获得实用新型专利授权：“具有改善P-well区电场集中的SiCVDMOS器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“具有改善P-well区电场集中的SiCVDMOS器件”，专利申请号为CN202422072738.0，授权日为2025年6月10日。

专利摘要：具有改善P?well区电场集中的SiCVDMOS器件。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的漏极金属层、N+衬底层、N型缓冲层和N?漂移层；所述N?漂移层上设有：P?Well区，从所述N?漂移层的顶面向下延伸，靠近中部一侧呈一斜面；N+区，从所述P?Well区的顶面向下延伸；P+区，从所述P?Well区的顶面向下延伸，并与所述N+区连接；栅氧化层，设置在所述N?漂移层的顶面，其底面分别与所述N+区、P?Well区和N?漂移层连接；Poly层，形成于所述栅氧化层的顶面；介质层，包裹在所述栅氧化层和Poly层上，并与所述N+区连接；源极欧姆接触合金层，形成于所述P+区和N+区的顶面，侧部与所述介质层连接；源极金属层，形成于所述源极欧姆接触合金层和介质层的顶面。本实用新型增强了芯片过流能力。

今年以来扬杰科技新获得专利授权55个，较去年同期增加了41.03%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了4.23亿元，同比增19%。

数据来源：天眼查APP

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