中微公司获得发明专利授权：“半导体结构、器件及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中微公司（688012）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构、器件及其制备方法”，专利申请号为CN201910843531.X，授权日为2025年6月10日。

专利摘要：本发明提供一种半导体结构、器件及其制备方法，半导体结构包括：衬底、成核层、多个间隔排布的沟道及外延层；成核层形成于衬底上并覆盖衬底的上表面，为含Al氮化物层，晶向为(0001)晶向；沟道贯穿成核层且底部位于衬底中，将成核层划分为多个间隔排布的成核层平台；外延层为含Al氮化物层，形成于成核层平台上并覆盖成核层平台的上表面及沟道的开口。本发明通过沟道及成核层的结构，减少外延层在沟道上成核的几率，且进一步的通过成核层及外延层的材质的选择，增加外延层在成核层平台上成核的几率，以进一步的增大外延层在成核层平台及沟道上成核的几率差，制备具有良好的平整性及完整性的外延层。

今年以来中微公司新获得专利授权74个，较去年同期增加了2.78%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了14.18亿元，同比增73.59%。

数据来源：天眼查APP

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