扬杰科技获得实用新型专利授权：“一种更好栅极保护结构的SiCMOS”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种更好栅极保护结构的SiCMOS”，专利申请号为CN202422072689.0，授权日为2025年6月10日。

专利摘要：一种更好栅极保护结构的SiC MOS，涉及半导体技术领域。包括从下而上设置的SiC Sub层和SiC Epi层；所述SiC Epi层上设有：P?body区，从所述SiC Epi层的顶面向下延伸；NP区，从所述P?body区的顶面向下延伸；PP区，从所述P?body区的顶面向下延伸，并与所述NP区连接；P?shield区，从所述P?body区的顶面向下延伸，与所述P?body区设有间距；N+区，从所述P?shield区的顶面向下延伸；栅极欧姆接触合金层，形成于所述P?shield区的顶面，底面分别与所述P?shield区和N+区连接；栅氧化层，与所述栅极欧姆接触合金层连接，底部分别与所述NP区、P?body区和SiC Epi层连接；栅氧化层的顶面低于栅极欧姆接触合金层的底面；本实用新型实现了对SiC MOSFET器件栅氧化层良好的保护效果，提高了器件的栅氧化层可靠性。

今年以来扬杰科技新获得专利授权55个，较去年同期增加了41.03%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了4.23亿元，同比增19%。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。