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扬杰科技获得实用新型专利授权：“一种沟槽SiCMOSFET器件”

来源：证券之星企业动态 2025-06-10 02:56:17

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种沟槽SiCMOSFET器件”，专利申请号为CN202422072731.9，授权日为2025年6月10日。

专利摘要：一种沟槽SiC MOSFET器件，涉及半导体技术领域。通过在沟槽一侧形成P+区实现了单边沟槽结构；器件使用时，P+区与SiC Drift层形成的空间耗尽层屏蔽电场，保护栅氧化层，避免栅氧化层的提早失效，并且在沟槽另一侧形成N+区，降低了器件内阻，同时在顶面制备肖特基接触，使器件内部集成了SBD体二极管，从而减小了器件的续流损耗。

今年以来扬杰科技新获得专利授权55个，较去年同期增加了41.03%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了4.23亿元，同比增19%。

数据来源：天眼查APP

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