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扬杰科技获得实用新型专利授权：“一种SiCVDMOSFET器件”

来源：证券之星企业动态 2025-06-10 02:54:48

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种SiCVDMOSFET器件”，专利申请号为CN202422072724.9，授权日为2025年6月10日。

专利摘要：一种SiC VDMOSFET器件，涉及半导体技术领域。本实用新型向器件栅极中间底部的SiC Drift层离子注入形成重掺杂的PP区，并在PP区的顶面通过制备实现欧姆接触，使栅极Poly层与PP区相连接。在栅极Poly层受驱动电压时，PP区可以释放一部分栅极驱动电压应力，从而减轻对栅氧化层的电压应力，保护了栅氧化层，而在器件阻断过程中，PP区由于处于栅极底部，又可以屏蔽漏极电压产生的电场集中，再次保护了栅氧化层。

今年以来扬杰科技新获得专利授权55个，较去年同期增加了41.03%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了4.23亿元，同比增19%。

数据来源：天眼查APP

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