甬矽电子获得发明专利授权：“IC射频封装结构和IC射频封装结构的制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示甬矽电子（688362）新获得一项发明专利授权，专利名为“IC射频封装结构和IC射频封装结构的制备方法”，专利申请号为CN202210986723.8，授权日为2025年5月30日。

专利摘要：本发明提供了一种IC射频封装结构和IC射频封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，通过在基板上设置芯片，并且在基板上通过打线形成横跨芯片两侧的线弧天线，然后通过塑封体对芯片和线弧天线进行包覆，并且线弧天线与基板电连接，线弧天线的顶端外露于塑封体，实现发射或接受信号。相较于现有技术，本发明通过打线结构形成立体三维形状的天线结构，从而能够实现多向的无线发射/接收结构，提升天线的适用范围，同时天线横跨芯片设置，能够起到波导信号聚集的作用，从而实现天线发射增益。并且打线结构成本低廉，结构稳定性好，能够有效地实现散热和增强结构强度的作用，避免了传统印刷或溅射方式带来的一系列问题。

今年以来甬矽电子新获得专利授权36个，较去年同期增加了80%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了2.17亿元，同比增49.29%。

数据来源：天眼查APP

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