西测测试获得发明专利授权：“一种多芯片CCGA封装焊柱失效风险评价方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示西测测试（301306）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种多芯片CCGA封装焊柱失效风险评价方法”，专利申请号为CN202510353802.9，授权日为2025年5月27日。

专利摘要：本申请公开了一种多芯片CCGA封装焊柱失效风险评价方法，属于电子封装及可靠性分析技术领域，方法包括：通过获取多芯片CCGA封装结构的几何和材料参数建立有限元分析模型；设定非均匀工况条件并施加边界条件及约束，经热循环加载分析获取焊柱的非均匀分布热应力；提取关键数据，利用Coffin?Manson热疲劳模型计算焊柱疲劳寿命并确定寿命矩阵；基于热疲劳模型和线性积累损伤理论计算焊柱损伤量并获取损伤矩阵；根据损伤矩阵判定焊柱失效并获得风险等级矩阵。该方法可根据实际工况在设计与早期验证阶段快速准确评估多芯片耦合场景下焊柱的应力分布与失效机理，为高可靠性电子产品研发提供科学支撑。

今年以来西测测试新获得专利授权3个。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了1814.11万元，同比减8.4%。

数据来源：天眼查APP

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