锴威特获得发明专利授权：“一种低损耗理想二极管”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示锴威特（688693）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种低损耗理想二极管”，专利申请号为CN202110673469.1，授权日为2025年5月23日。

专利摘要：本发明公开了一种低损耗理想二极管,所述二极管包括控制IC、电荷泵电容C1、增强型MOSFET，整个整流系统器件极少，非常利于缩小整体应用方案的体积，控制IC的电源管脚VIN连接增强型MOSFET的源端，并作为整流器的阳极，控制IC的电荷泵引脚CPO通过电容C1连接MOSFET的源端，控制IC的驱动管脚Gate连接增强型MOSFET的栅端，控制IC的管脚OUT连接MOSFET的漏端，为整流器的阴极和输出，该低损耗理想二极管外围简洁、功耗可控的低损耗二极管,降低整流器功耗，简化布板，缩小整体方案体积，符合高能效、高功率密度的发展趋势，在应用上无需散热装置。

今年以来锴威特新获得专利授权11个，较去年同期减少了31.25%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了5866.02万元，同比增62.85%。

数据来源：天眼查APP

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