芯联集成获得发明专利授权：“超结半导体器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“超结半导体器件”，专利申请号为CN202411896372.7，授权日为2025年5月16日。

专利摘要：本申请涉及一种超结半导体器件，涉及半导体技术领域，包括：半导体材料层，包括彼此相对的上表面和下表面；超结结构，位于半导体材料层中，包括若干呈交替排列的第一导电类型柱和第二导电类型柱；第一导电类型阱区，位于半导体材料层中且位于第一导电类型柱顶端，第一导电类型阱区包括第一类阱区和第二类阱区；栅极，位于上表面上；第一导电插塞，穿过栅极与第一类阱区导电连接；第二导电插塞，位于栅极上，与栅极导电连接；第二类阱区上方被栅极覆盖，第二类阱区与第一导电插塞、与第二导电插塞均绝缘隔离；第二类阱区从核心区延伸至终端区，第二类阱区在核心区以及在终端区均与第一类阱区分立设置。由此，增强器件的抗电磁干扰能力。

今年以来芯联集成新获得专利授权24个，较去年同期减少了17.24%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了18.42亿元，同比增20.45%。

数据来源：天眼查APP

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