晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体测试结构及测试方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体测试结构及测试方法”，专利申请号为CN202510192078.6，授权日为2025年5月13日。

专利摘要：本发明提供了一种半导体测试结构及测试方法，半导体测试结构包括衬底，其上形成有掺杂区，掺杂区的底部连续；至少两个金属氧化物场效应管；接触区，形成于掺杂区上；导通电压端，电连接于栅极，用于施加导通电压，以导通金属氧化物场效应管；测试电压端，电连接于第一重掺杂区和/或第二重掺杂区，用于施加扫描电压；以及电流量测端，电连接于接触区；其中，测试电压端、金属氧化物场效应管、源漏区、掺杂区、接触区、电流量测端形成量测回路。通过本发明提供的一种半导体测试结构及测试方法，能够对Poly间距较小的源极和漏极区域的反偏结漏电进行量测。

今年以来晶合集成新获得专利授权130个，较去年同期增加了7.44%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

数据来源：天眼查APP

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