中微公司获得发明专利授权：“一种去除半导体反应腔内金属污染的方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中微公司（688012）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种去除半导体反应腔内金属污染的方法”，专利申请号为CN202110479085.6，授权日为2025年5月9日。

专利摘要：本发明公开了一种去除半导体反应腔内金属污染的方法，包括：所述反应腔的内侧壁上具有金属污染物，向所述反应腔内通入碳氟气体，碳氟气体在反应腔的内侧壁形成碳氟聚合物，所述金属污染物吸附碳氟聚合物；所述金属污染物吸附碳氟聚合物之后，通入氧化性气体，所述碳氟聚合物与氧化性气体、金属污染物发生化学反应形成气态化合物。本发明提供的方法能够大幅降低腔体内的金属污染物含量，提升产品良率；在不打开半导体腔室的前提下去除腔体内壁的金属污染物，清除完成后，腔室无需预防性维护即可继续工作，缩短了加工过程之间的时间间隔；与化学溶液擦拭或清洗相比，采用通入气体的方式去除污染物能够节约成本。

今年以来中微公司新获得专利授权66个，较去年同期增加了13.79%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了14.18亿元，同比增73.59%。

数据来源：天眼查APP

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