锴威特获得发明专利授权：“一种栅极氧化层烧写电路以及烧写方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示锴威特（688693）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种栅极氧化层烧写电路以及烧写方法”，专利申请号为CN202011402055.7，授权日为2025年5月6日。

专利摘要：本发明涉及一种栅极氧化层烧写电路，所述烧写电路包括高耐压PMOS管HP1、高耐压NMOS管HN1和HN2、低耐压NMOS管LN1和LN2、高压电源VH和低压电源VL，所述高压电源VH连接高耐压PMOS管HP1的漏极，高耐压PMOS管HP1的源极连接高耐压NMOS管HN1的漏极，高耐压NMOS管HN1的漏极接地，低耐压NMOS管LN1和LN2之间连接高耐压NMOS管HN2；该技术方案既可以在芯片封装后进行，使得封装对芯片的影响可以得到修正。同时利用本专利方法设计的电路，其芯片面积可以做的非常小，生产成本低。

今年以来锴威特新获得专利授权9个，较去年同期减少了43.75%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了5866.02万元，同比增62.85%。

数据来源：天眼查APP

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