证券之星消息，根据天眼查APP数据显示横店东磁（002056）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种低高度差背抛光隔离区结构TBC电池及其制备方法”，专利申请号为CN202411639238.9，授权日为2025年5月2日。
专利摘要：本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种低高度差背抛光隔离区结构TBC电池及其制备方法。本发明TBC电池硅片背面的隔离区表面依次设有AlOx层、高折射率SiNx层和低折射率SiNx层。首先，与常规隔离区表面为金字塔绒面相比，本发明为抛光隔离区结构，可有效增强硅片背面对光的内反射效应，提升电池光学性能；其次，本发明TBC电池中硅片基底的隔离区表面与其两侧的p区、n区表面的高度差较小，几乎齐平，有利于改善载流子在硅片基底的传输性能，同时提高成品电池良率。
今年以来横店东磁新获得专利授权42个，较去年同期增加了16.67%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了7.22亿元，同比减17.66%。
数据来源：天眼查APP
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