斯达半导获得发明专利授权：“一种超级结IGBT半元胞结构、器件及制备方法”_股票频道

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示斯达半导（603290）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种超级结IGBT半元胞结构、器件及制备方法”，专利申请号为CN202410307432.0，授权日为2025年4月25日。

专利摘要：本发明涉及半导体技术领域中的一种超级结IGBT半元胞结构、器件及制备方法，包括发射极结构、栅极结构和集电极结构，发射极结构与栅极结构并排接触设置，且并排接触设置的发射极结构和栅极结构，与集电极结构之间设置有漂移区结构，漂移区结构与栅极结构部分接触设置，漂移区结构与发射极结构之间设置有载流子储存层，且栅极结构与载流子储存层部分接触设置，栅极结构、漂移区结构以及载流子储存层之间设置有空穴通道区，解决了现有IGBT器件无法实现提高电导调制效应的同时，降低器件关断损耗的问题。

今年以来斯达半导新获得专利授权8个，较去年同期增加了300%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了3.54亿元，同比增23.27%。