证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种LDMOS器件的制备方法、LDMOS器件”，专利申请号为CN202510001322.6，授权日为2025年4月25日。
专利摘要：本发明涉及一种LDMOS器件的制备方法、LDMOS器件，涉及半导体技术领域，在该制备方法中，对自对准多晶硅材料层采用第一刻蚀机台，对遮蔽材料层采用第二刻蚀机台，针对不同的材料采用专用的刻蚀机台，可以提高刻蚀的精准度，从而避免了刻蚀时需要刻蚀的材料刻蚀不干净或者由于过刻导致的材料损失，提高了产品的良率。此外形成的LDMOS器件由于覆盖遮蔽层的金属硅化物作为了LDMOS器件栅极的补充栅极，增加了导电沟道的长度，使得该LDMOS器件具有了更好的耐高压性能。
今年以来晶合集成新获得专利授权118个，较去年同期增加了9.26%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。
数据来源：天眼查APP
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