天岳先进获得发明专利授权：“一种大尺寸、低电阻4H碳化硅晶棒、低电阻4H碳化硅晶片及制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示天岳先进（688234）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种大尺寸、低电阻4H碳化硅晶棒、低电阻4H碳化硅晶片及制备方法”，专利申请号为CN202411546269.X，授权日为2025年4月18日。

专利摘要：本申请公开了一种大尺寸、低电阻4H碳化硅晶棒、低电阻4H碳化硅晶片及制备方法，属于N型碳化硅单晶材料制备技术领域。该4H碳化硅晶棒的厚度为15mm以上，所述4H碳化硅晶棒任意位置处的电阻率大于12mΩ·cm且小于15mΩ·cm，且所述4H碳化硅晶棒面内的电阻率差值在0.5 mΩ·cm以下，所述4H碳化硅晶棒的硅面与碳面的电阻率差值在1mΩ·cm以下。该4H碳化硅晶棒的电阻率低于现有的产品，且面内及轴向电阻率分布更均匀，有利于器件整体导通电阻的降低，为提高4H碳化硅晶片质量及器件性能提供了新的方案。

今年以来天岳先进新获得专利授权4个，较去年同期减少了63.64%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了1.42亿元，同比增3.38%。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。