长光华芯获得发明专利授权：“半导体发光结构及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长光华芯（688048）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体发光结构及其制备方法”，专利申请号为CN202411884893.0，授权日为2025年4月11日。

专利摘要：本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构包括依次层叠的第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层和第二限制层；第一波导层的材料为AlxGa1?xAs，第一波导层包括层叠的第一层第一子波导层至第M层第一子波导层；对于任意相邻的两层第一子波导层，一层第一子波导层中的Al组分x大于或等于0.5，另一层第一子波导层中的Al组分x小于或等于0.4；和/或，第二波导层的材料为AlyGa1?yAs，第二波导层包括层叠的第一层第二子波导层至第N层第二子波导层；对于任意相邻的两层第二子波导层，一层第二子波导层中的Al组分y大于或等于0.5，另一层第二子波导层中的Al组分y小于或等于0.4。

今年以来长光华芯新获得专利授权12个，较去年同期增加了100%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6219.78万元，同比增13.56%。

数据来源：天眼查APP

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