长光华芯获得发明专利授权：“半导体发光结构及其制备方法和测试方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长光华芯（688048）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体发光结构及其制备方法和测试方法”，专利申请号为CN202411886875.6，授权日为2025年4月11日。

专利摘要：本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法和测试方法，半导体发光结构包括：半导体衬底层；有源层，位于半导体衬底层的一侧；第一电极层，位于所述半导体衬底层背离所述有源层的一侧；其中，第一电极层中具有多个开口，开口贯穿第一电极层，多个开口沿第一方向和第二方向呈周期性阵列排布，沿第一方向相邻开口之间的间隔距离小于或等于10微米，沿第二方向相邻开口之间的间隔距离小于或等于10微米，开口在第一方向的尺寸与多个开口在第一方向的周期尺寸的比值小于或等于60%，开口在第二方向的尺寸与多个开口在第二方向的周期尺寸的比值小于或等于60%。

今年以来长光华芯新获得专利授权12个，较去年同期增加了100%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6219.78万元，同比增13.56%。

数据来源：天眼查APP

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