长光华芯获得发明专利授权：“半导体结构的生长方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长光华芯（688048）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构的生长方法”，专利申请号为CN202411595147.X，授权日为2025年4月11日。

专利摘要：本申请提供一种半导体结构的生长方法，包括：步骤S1：提供反应腔，所述反应腔具有腔主体和腔盖，所述腔盖具有相对的正面和背面，所述腔盖的背面一侧设置外壳，所述腔盖和所述外壳之间具有冷却气体通道，所述冷却气体通道中用于通入冷却混合气体；步骤S2:获取测试半导体结构的生长速率随所述腔盖正面的副产物层的厚度变化的第一函数；步骤S3:获取测试半导体结构的生长速率随所述腔盖的背面的温度变化的第二函数；步骤S4:根据腔盖正面的副产物层的厚度设置腔盖背面的设定控制温度，以稳定半导体结构的生长速率，腔盖背面的设定控制温度通过冷却混合气体中不同导热率的气体的比例来控制。

今年以来长光华芯新获得专利授权12个，较去年同期增加了100%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6219.78万元，同比增13.56%。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。