芯联集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制造方法”，专利申请号为CN202510019185.9，授权日为2025年4月11日。

专利摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：基底；两个体区，形成于所述基底中，两个所述体区之间的所述基底中形成有凹槽；第二外延层，形成于所述基底上，所述第二外延层从部分所述体区上延伸至所述凹槽的侧壁上；源极区，形成于所述体区中，所述源极区从所述第二外延层远离所述凹槽的一侧延伸至所述第二外延层下方，所述基底、所述第二外延层、所述源极区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相反；栅氧层，形成于所述第二外延层的表面和所述凹槽的底壁；栅极层，形成于所述栅氧层上，所述栅极层从所述第二外延层上方的所述栅氧层上延伸至所述凹槽侧壁的所述栅氧层上。本发明的技术方案使得能够提高器件性能。

今年以来芯联集成新获得专利授权18个，较去年同期减少了5.26%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了8.69亿元，同比增33.75%。

数据来源：天眼查APP

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