艾为电子获得发明专利授权：“一种无片外电容LDO电路”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示艾为电子（688798）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种无片外电容LDO电路”，专利申请号为CN202110674434.X，授权日为2025年4月4日。

专利摘要：本申请公开了一种无片外电容低压差线性稳压器LDO电路，包括：稳压单元、第一NMOS管、PMOS管、第一电流支路、第二电流支路和电容。稳压单元的输出端用于输出稳定参考电压。第一NMOS管的栅极用于输入稳定参考电压，PMOS管的栅极和第一NMOS管的漏极相连。PMOS管的漏极和电容的一端相连，连接点为第二连接点。第二连接点的电压为LDO电路的输出稳定电压。第一电流支路包括至少一个上电流支路，第二电流支路包括至少一个下电流支路。上电流支路和下电流支路的数量相同。第一、二电流支路使得通过第一NMOS管的电流增加，而且负载增加时，通过PMOS管的电流增大。第一NMOS管和PMOS管的电流的提高使得环路带宽增大，摆率增强，提高了LDO电路负载瞬态响应能力。

今年以来艾为电子新获得专利授权13个，较去年同期减少了67.5%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了2.53亿元，同比减22.88%。

数据来源：天眼查APP

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