甬矽电子获得发明专利授权：“半导体封装结构及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示甬矽电子（688362）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体封装结构及其制备方法”，专利申请号为CN202111500686.7，授权日为2025年3月25日。

专利摘要：本发明的实施例提供了一种半导体封装结构及其制备方法，涉及半导体封装技术领域，通过在基底载板上设置半导体器件，并设置包覆在半导体器件外的塑封体，然后在半导体器件上设置第一转接板和第二转接板，其中，塑封体上开设有贯通至半导体器件的第一凹槽和第二凹槽，第一转接板和第二转接板分别贴装在第一凹槽和第二凹槽内，其中第一转接板和第二转接板设置有第一焊球和第二焊球，半导体器件同时与第一转接板和第二转接板电连接，通过设置转接板实现布线结构，后期产品维修更换时只需要对转接板进行处理即可，方便可靠。同时通过转接板上的焊球实现外接电路，而转接板可以提前制备，其焊球尺寸以及占用空间可以做的更小，无疑使得整个产品的尺寸得以降低，有利于产品的小型化。

今年以来甬矽电子新获得专利授权19个，较去年同期增加了137.5%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了9398.43万元，同比增52.57%。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。