宏微科技获得发明专利授权：“一种功率半导体器件及其制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示宏微科技（688711）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种功率半导体器件及其制作方法”，专利申请号为CN202011552697.5，授权日为2025年3月21日。

专利摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种功率半导体器件及其制作方法，所述功率半导体器件包括N基体和中间P+层，所述N基体的顶部两端均设有有源区N+层和包裹所述有源区N+层的P区，所述P区包括沟道P?层，所述沟道P?层被配置在所述有源区N+层的内侧，所述栅氧化层被配置在所述N基体的表面中部，并覆盖到所述有源区N+层，所述中间P+层被配置在两个所述P区之间，且与两个所述P区相连。本发明提供的一种功率半导体器件，能够在漏极施压时降低栅氧化层承受的电场强度，减小栅氧化层被击穿的几率，提高器件的可靠性，同时可保证器件的沟道密度。

今年以来宏微科技新获得专利授权3个，与去年同期持平。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了5390.84万元，同比增6.78%。

数据来源：天眼查APP

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