芯联集成获得发明专利授权：“沟槽栅IGBT结构及半导体器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“沟槽栅IGBT结构及半导体器件”，专利申请号为CN202411579943.4，授权日为2025年3月18日。

专利摘要：本发明提供了一种沟槽栅IGBT结构及半导体器件，所述沟槽栅IGBT结构包括：第一沟槽栅极，自所述衬底表面延伸至所述N?漂移区中；第一P型掺杂区，与所述P型基区及各自设于所述第一沟槽栅极一侧的N?漂移区中，所述第一P型掺杂区中设有插塞用于接地；第二沟槽栅极，设于所述第一P型掺杂区中，与所述第一沟槽栅极电连接，且所述第二沟槽栅极的长度小于所述第一沟槽栅极的长度；N型浮空埋层，设于所述第二沟槽栅极下方的第一P型掺杂区中，所述N型浮空埋层的一端与所述第一沟槽栅极间隔设置。本发明可同时优化沟槽栅IGBT结构的导通压降及关断损耗。

今年以来芯联集成新获得专利授权11个，与去年同期持平。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了8.69亿元，同比增33.75%。

数据来源：天眼查APP

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