芯联集成获得发明专利授权：“功率半导体器件及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“功率半导体器件及其制备方法”，专利申请号为CN202411523751.1，授权日为2025年3月14日。

专利摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种功率半导体器件及其制备方法，其中，功率半导体器件包括：半导体材料层，其内包括第一掺杂区和漂移区；多个栅极沟槽，从上表面延伸穿过第一掺杂区至漂移区内，至少一栅极沟槽内设置有栅极；第一掺杂区包括第一导电类型基区和第一导电类型可控区；第二导电类型发射区，位于第一导电类型基区的表层；邻接布置的第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区，位于第一导电类型可控区内和/或位于所述第一导电类型可控区上；第一导电类型掺杂区与第一导电类型基区和第二导电类型发射区共同连接至发射极金属层，第二导电类型掺杂区和栅极共同连接至栅极金属层；如此，降低了EMI噪声，同时避免载流子大量流失。

今年以来芯联集成新获得专利授权10个，与去年同期持平。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了8.69亿元，同比增33.75%。

数据来源：天眼查APP

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