甬矽电子获得发明专利授权：“芯片散热封装结构和芯片散热封装结构的制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示甬矽电子（688362）新获得一项发明专利授权，专利名为“芯片散热封装结构和芯片散热封装结构的制备方法”，专利申请号为CN202411488938.2，授权日为2025年3月7日。

专利摘要：本发明提供了一种芯片散热封装结构和芯片散热封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域，芯片散热封装结构包括基板、封装芯片、导热材料层和第一散热盖，封装芯片贴装在基板上；导热材料层设置在封装芯片远离基板的一侧；第一散热盖设置在基板上，并罩设在封装芯片外，且第一散热盖至少部分位于导热材料层远离基板的一侧；其中，第一散热盖靠近基板的一侧设置有多个第一散热凸块，多个第一散热凸块均连接至封装芯片背离基板的一侧表面，导热材料层与第一散热盖连接。相较于现有技术，本发明通过增设第一散热凸块，并结合导热材料层的设计，能够大幅提升散热面积，无需扩大第一散热盖的设计尺寸，避免热应力造成基板或芯片发生翘曲的问题。

今年以来甬矽电子新获得专利授权14个，较去年同期增加了75%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了9398.43万元，同比增52.57%。

数据来源：天眼查APP

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