晶合集成获得实用新型专利授权：“一种LDMOS器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种LDMOS器件”，专利申请号为CN202420394347.8，授权日为2025年3月7日。

专利摘要：本实用新型提供一种LDMOS器件，通过埋层条结构沿纵向周期性交替设置的第一埋层和第二埋层，且所述埋层条结构的最顶层为第一埋层，使得其没有增加LDMOS器件的尺寸，同时由于埋层条结构在每次离子注入以形成第一埋层或第二埋层时均可以采用相同的掩模板，使得同一个掩模板分次交替注入第一埋层和第二埋层；在所述埋层条结构中，第一埋层增加了漂移区的N型导电通道数量，且提高了N型载流子浓度，降低了导通通道Ron，第二埋层可以分散N型导电通道中辅助耗尽，使得耗尽区增大，提高了击穿电压BV，从而使得埋层条结构可以有效提高LDMOS器件的击穿电压BV，同时降低导通通道Ron。

今年以来晶合集成新获得专利授权37个，较去年同期减少了35.09%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。