甬矽电子获得发明专利授权：“半导体封装结构和半导体封装结构的制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示甬矽电子（688362）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体封装结构和半导体封装结构的制备方法”，专利申请号为CN202210117449.0，授权日为2025年3月7日。

专利摘要：本发明的实施例提供了一种半导体封装结构和半导体封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该半导体封装结构包括基板、第一芯片、第二芯片、散热柱、第一塑封体和焊球，散热柱设置在基板的一侧表面并位于第一芯片和第二芯片之间，基板的一侧表面设置有金属层，散热柱的底部与金属层连接，并用于对基板进行散热。通过在第一芯片和第二芯片之间设置有散热柱，散热柱设置在基板的金属层上，能够起到良好的散热效果。相较于现有技术，本发明提供的半导体封装结构，能够实现对基板良好的散热效果，进而提升整个器件的散热能力，保证器件性能。

今年以来甬矽电子新获得专利授权14个，较去年同期增加了75%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了9398.43万元，同比增52.57%。

数据来源：天眼查APP

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