甬矽电子获得发明专利授权：“双面电磁屏蔽结构和屏蔽结构制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示甬矽电子（688362）新获得一项发明专利授权，专利名为“双面电磁屏蔽结构和屏蔽结构制作方法”，专利申请号为CN202211231824.0，授权日为2025年3月4日。

专利摘要：本公开提供了一种双面电磁屏蔽结构和屏蔽结构制作方法，涉及半导体封装技术领域。该双面电磁屏蔽结构包括基板、多个第一接地焊盘和连接线，基板的第一表面设有第一元件，第二表面设有第二元件；基板上设有通孔；多个第一接地焊盘设于基板的表面，且位于通孔的两侧；连接线电连接通孔两侧的第一接地焊盘，且连接线从基板的一面沿通孔穿设至另一面；连接线在第一元件和第二元件的外围形成笼状结构。其中，连接线凸出第一表面的最高点高于第一元件远离基板的一侧，连接线凸出第二表面的最高点高于第二元件远离基板的一侧。可以通过打线实现双面电磁屏蔽，结构可靠，工艺简单，封装效率高。

今年以来甬矽电子新获得专利授权11个，较去年同期增加了37.5%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了9398.43万元，同比增52.57%。

数据来源：天眼查APP

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