甬矽电子获得发明专利授权：“MEMS封装结构和MEMS封装结构的制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示甬矽电子（688362）新获得一项发明专利授权，专利名为“MEMS封装结构和MEMS封装结构的制备方法”，专利申请号为CN202210497929.4，授权日为2025年3月4日。

专利摘要：本发明的实施例提供了一种MEMS封装结构和MEMS封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该MEMS封装结构包括基板、ASIC芯片、MEMS芯片和进音盖体，进音盖体包括一体设置的内层盖体和外层盖体，内层盖体具有第一空腔，外层盖体具有第二空腔，第一空腔和第二空腔相互连通，从而构成了前音腔，增大了进音空间的体积，提升声压/声音信号，从而提升了芯片的灵敏度和信噪比。同时，通过多个进音孔实现进音，避免了芯片直接与外部声压/声音相接触，因此当声压/声音变化超过一定值时，通过第一空腔和第二空腔能够起到缓冲作用，避免高强度声压/声音冲击而导致硅振膜破裂，大大提升了MEMS芯片的适用性。

今年以来甬矽电子新获得专利授权11个，较去年同期增加了37.5%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了9398.43万元，同比增52.57%。

数据来源：天眼查APP

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