芯联集成获得发明专利授权：“具有斜坡结构的半导体器件的制造方法及半导体结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“具有斜坡结构的半导体器件的制造方法及半导体结构”，专利申请号为CN202211008628.7，授权日为2025年2月25日。

专利摘要：本申请实施例涉及一种具有斜坡结构的半导体器件的制造方法及半导体结构，其中，方法包括：提供包括器件区和测试区的衬底；在器件区和测试区上形成功能结构层；在功能结构层上形成牺牲层；对牺牲层的位于器件区的部分和位于测试区的部分同步进行刻蚀，以在器件区形成第一沟槽，在测试区形成第二沟槽；第一沟槽和第二沟槽的侧壁的底部与功能结构层的上表面之间具有大于90度的倾斜角度，以使牺牲层在对应的位置处形成斜坡结构；通过对多个重复结构进行光学测量，得到斜坡结构的几何尺寸参数。如此，解决了器件区的斜坡结构的几何尺寸参数难以量测的问题，量测简便、快速，准确度高，为判断工序是否继续进行以及评价半导体器件的性能提供重要依据。

今年以来芯联集成新获得专利授权8个，较去年同期减少了11.11%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了8.69亿元，同比增33.75%。

数据来源：天眼查APP

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