阿特斯获得发明专利授权：“一种轻掺杂基片、带有选择性发射极的基片、太阳能电池及其制备方法和应用”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示阿特斯（688472）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种轻掺杂基片、带有选择性发射极的基片、太阳能电池及其制备方法和应用”，专利申请号为CN201910483415.1，授权日为2025年2月25日。

专利摘要：本发明提供了一种轻掺杂基片、带有选择性发射极的基片、太阳能电池及其制备方法和应用，所述轻掺杂基片包括依次连接的P型硅片层、N型硅层、第一磷硅玻璃层、氧化层以及第二磷硅玻璃层；本发明的轻掺杂基片在后续重掺杂过程中，一方面能够增加硅片表面掺杂源的掺杂均匀性，另一方面能够降低重掺杂区的方阻值，从而降低银硅接触电阻；轻掺杂基片的制备方法简单、易于实现、适用于工业大规模的生产应用；通过该轻掺杂基片制备的带有选择性发射极的基片中的重掺杂区磷含量较高，重掺杂区方阻较低且均匀，制备的太阳能电池具有较高的光转化效率。

今年以来阿特斯新获得专利授权16个，较去年同期增加了23.08%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了4.23亿元，同比增51.78%。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。