兆易创新获得发明专利授权：“一种提高读写速度的方法、装置及NAND闪存”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示兆易创新（603986）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种提高读写速度的方法、装置及NAND闪存”，专利申请号为CN201910990385.3，授权日为2025年2月21日。

专利摘要：本发明实施例提供一种提高读写速度的方法、装置及NAND闪存，NAND闪存包括SRAM、与SRAM连接的N个寄存器区以及与N个寄存器区一一对应的N个充电选择信号，N个充电选择信号的周期包括延迟时间，N个充电选择信号相互之间存在时间延迟，N个充电选择信号周期中的延迟时间叠加后等于N个寄存器区的寄存器选择信号走线延迟，方法包括：接收寄存器地址；根据寄存器地址确定待进行读写操作的寄存器区；设置待进行读写操作的寄存器区对应的充电选择信号有效。本发明有效减小了SRAM读写寄存器的时间，极大提高了SRAM读写寄存器的速度。

今年以来兆易创新新获得专利授权11个，较去年同期减少了59.26%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了5.88亿元，同比增23.25%。

数据来源：天眼查APP

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