长光华芯获得发明专利授权：“半导体发光结构及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长光华芯（688048）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体发光结构及其制备方法”，专利申请号为CN202411328037.7，授权日为2025年2月7日。

专利摘要：本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构包括：位于有源层背离半导体衬底层一侧的光子晶体层，光子晶体层包括第一层和第二层，第二层延伸至第一层中并覆盖第一层背离有源层的一侧表面，第二层的折射率高于第一层的折射率；位于光子晶体层背离有源层一侧的布拉格反射镜，布拉格反射镜包括交替层叠的第三层和第四层，第三层的折射率高于第四层的折射率；位于布拉格反射镜和光子晶体层之间的过渡层，过渡层与第三层接触，过渡层中的Al组分大于第二层中的Al组分且小于第三层中的Al组分，且过渡层中的Al组分自布拉格反射镜朝向光子晶体层的方向递减。半导体发光结构的出光效率提高。

今年以来长光华芯新获得专利授权4个，较去年同期增加了100%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6219.78万元，同比增13.56%。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。